规格书 |
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Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
产品培训模块 |
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标准包装 |
500 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
13.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
280 mOhm @ 6.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
3.5V @ 430µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
43nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
950pF @ 100V |
功率 - 最大 |
32W |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
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TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 |
PG-TO-220-FP |
包装材料
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Tube |
RoHS |
RoHS Compliant |
晶体管极性 |
N-Channel |
漏源击穿电压 |
650 V |
源极击穿电压 |
20 V |
连续漏极电流 |
13.8 A |
抗漏源极RDS ( ON) |
0.28 Ohms |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
安装风格 |
Through Hole |
封装/外壳 |
TO-220 Full-Pak |
封装 |
Tube |
下降时间 |
9 ns |
栅极电荷Qg |
43 nC |
最低工作温度 |
- 55 C |
功率耗散 |
32 W |
上升时间 |
9 ns |
典型关闭延迟时间 |
71 ns |
零件号别名 |
IPA60R280E6XK IPA60R280E6XKSA1 SP000797292 |
FET特点 |
Standard |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
13.8A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
3.5V @ 430µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
600V |
标准包装 |
500 |
供应商设备封装 |
PG-TO-220-FP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
280 mOhm @ 6.5A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
32W |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
950pF @ 100V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
43nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
系列 |
IPA60R280 |
RDS(ON) |
280 mOhms |
商品名 |
CoolMOS |
工厂包装数量 |
500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage |
20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage |
2.5 V |
宽度 |
4.85 mm |
Qg - Gate Charge |
43 nC |
品牌 |
Infineon Technologies |
通道数 |
1 Channel |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
13.8 A |
长度 |
10.65 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
250 mOhms |
通道模式 |
Enhancement |
身高 |
16.15 mm |
典型导通延迟时间 |
11 ns |
Pd - Power Dissipation |
32 W |
技术 |
Si |